Discussione:
Jfet e Mosfet
(troppo vecchio per rispondere)
Sampei
2005-02-10 11:25:21 UTC
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Ciao a tutti,
Mi potete spiegare che differenza c'è tra un Jfet e un Mosfet visto che
il principio di funzionamento è lo stesso? O sbaglio?
--
I have a little dreidel, I made it out of clay
And when it's dry and ready, with dreidel I shall play.
Oh, Dreidel, Dreidel, Dreidel, I made you out of clay
Dreidel, Dreidel, Dreidel, with Dreidel I shall play.
PeSte
2005-02-10 11:31:05 UTC
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Post by Sampei
Ciao a tutti,
Mi potete spiegare che differenza c'è tra un Jfet e un Mosfet visto che
il principio di funzionamento è lo stesso? O sbaglio?
la parte comune è FET: Field Effect Transistor, infatti entrabi sono
transistor ad effetto di campo.

La differenza sta nel fare la zona di gate

J= junction...in pratica è una giunzione pn polarizzata inversamente
MOS= metal oxide semiconductor...in pratica un condensatore
in cui le armature sono il gate (metal) e il canale (semiconductor)
e in mezzo c'è il dielettrico (oxide).

Ola
Ste
dr. piripicchio
2005-02-10 14:02:17 UTC
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Post by Sampei
Ciao a tutti,
Mi potete spiegare che differenza c'è tra un Jfet e un Mosfet visto che il
principio di funzionamento è lo stesso? O sbaglio?
qua trovi un intero libro di dispositivi on line:
http://ece.colorado.edu/~bart/book/book/title.htm :)
cmq per farla breve in entrmbi i dispositivi la corrente di drain (che è
unipolare: o solo elettroni o solo lacune) scorre attraverso un canale la
cui conducibilità può essere controllata 1) regolando l'estensione della
regione di svuotamento di una giunzione pn nel jfet 2)controllando lo strato
di inversione nel silicio all'interfaccia mos nel MOSFET..

saluti
buddha
2005-02-10 14:33:00 UTC
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Post by dr. piripicchio
Post by Sampei
Ciao a tutti,
Mi potete spiegare che differenza c'è tra un Jfet e un Mosfet visto che il
principio di funzionamento è lo stesso? O sbaglio?
http://ece.colorado.edu/~bart/book/book/title.htm :)
cmq per farla breve in entrmbi i dispositivi la corrente di drain (che è
unipolare: o solo elettroni o solo lacune) scorre attraverso un canale la
cui conducibilità può essere controllata 1) regolando l'estensione della
regione di svuotamento di una giunzione pn nel jfet 2)controllando lo strato
di inversione nel silicio all'interfaccia mos nel MOSFET..
Aggiungo in un caso hai un dispositivo + rumoroso (caso del Mosfet)
perchè il canalesi forma in superficie e la conducibilità del silicio in
quella zona è critica mentre nel secondo caso il canale è profondo e
ottieni un dispositivo molto meno rumoroso e più performante in termini
di SNR.

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