Post by dr. piripicchioPost by GaLoIssalve ho una domanda da fare: le caratteristiche reali del mosfet presentano
dopo il ginocchio una pendenza. il mio libro accenna all'analogia con i
transistori bipolari. quello che chiedo è a cosa è dovuta la pendenza delle
caratteristiche reali (quelle ideali sono orizzontali) e in cosa
differiscono dall'effetto early.
grazie per l'aiuto.
G.M
che libro usi?
cmq si chiama effetto di modulazione di canale. Nelle condizioni di
polarizzazione per cui il mosfet lavora in saturazione, lo strozzamento al
drain cresce al crescere della tensione di drain provocando la
diminuizione
Post by dr. piripicchiodella lunghezza effettiva di canale. Se poi fai mente locale alle equazioni
del mosfet vedi che la lunghezza di canale sta a denominatore e da qui
spiegato perchè la corrente aumenta.
l'effetto early invece è dovuto al restringimento della base del bjt,
restringimento che si ha (senza entrare troppo nel merito) aumentando la Vce
in quanto parte di questa cade come tenzione inversa sulla giunzione
base-collettore. Se poi guardi le equazioni del dispositivo in zona attiva,
nella corrente di collettore abbiamo a denominatore proprio la larghezza di
base (almeno nel transistore prototipo) e da qui spiegato perchè la corrente
cresce con Vce in zona attiva.
come libro uso il ghione non so se lo conosci. ti volevo chiedere a questo
punto come si calcola l'effetto di modulazione del canale, intendo
l'espressione analitica, perchè su tale libro riporta le caratteristiche
semplificate indicando solamente che c'è questo parametro k ma non lo
calcola
Id=(espressione che deriva dalla carica lineare nel mos)[1+kVds]
un'altro dubbio che mi è sorto, la limitazione delle caratteristiche del
mosfet in saturazione sono dovute a 2 fattori, il restringimento o pinch
off, e alla velocità di saturazione degli elettroni vero?
grazie per l'aiuto e scusa se me ne sono approfittato