Aiuto! resistenza variabile

[Gabriele]

Ciao a tutti. Sicuramente per voi è una sciocchezza, ma io non riesco a
venircene fuori...
come si deve collegare un jfet (o un mosfet) per poterlo utilizzare come
resistenza che varia in base alla tensione?
Cercando in rete ho trovato tante belle frasi come "basta usare un mosfet
polarizzato in zona lineare" o "funzionando in regione triodo il mosfet si
comporta come resistenza variabile" o cose così, senza mai però far vedere
uno schema che illustri la cosa! Nella mia ingenuità un fet/mosfet
polarizzato in zona lineare serve da amplificatore: entra una tensione esce
una tensione*qualcosa... ma come posso fisicamente sostituire un
potenziometro con un fet?
Ho provato tutte le combinazioni circuitali che la mia mente è riuscita a
partorire ma sono stati solo aborti...
Qualcuno sa dirmi come posso fare?

Grazie mille a tutti

P.S. le prove le faccio con il software micro-cap

[Valeria Dal Monte]

Post by Gabriele
come si deve collegare un jfet (o un mosfet) per poterlo utilizzare come
resistenza che varia in base alla tensione?

Per esempio, un mosfet N, colleghi il source a massa, polarizzi
il gate con una tensione variabile da 0 a 10-15 volt (dipende dal
tipo di mosfet) e tra drain e massa avrai una resistenza variabile.
Logicamente approssima una resistenza solo entro un certo
range di V e I, per esempio V non puo' essere negativo!
Poi negli usi pratici ci sono varie configurazioni, ma la cosa
importante e' riuscire a fornire una tensione continua tra source
e gate. Comunque dimenticati che un mosfet possa sostituire
una vera resistenza variabile in ogni situazione.

[Gabriele]

Post by Valeria Dal Monte
Per esempio, un mosfet N, colleghi il source a massa, polarizzi
il gate con una tensione variabile da 0 a 10-15 volt (dipende dal
tipo di mosfet) e tra drain e massa avrai una resistenza variabile.

fin qui è chiarissimo, ma nella simulazione se utilizzo un segnale
sinusoidale questo viene "tosato" non diminuito come con una resistenza. E'
giusto che sia così?

Grazie mille per le delucidazioni

[Valeria Dal Monte]

Post by Gabriele

Post by Valeria Dal Monte
Per esempio, un mosfet N, colleghi il source a massa, polarizzi
il gate con una tensione variabile da 0 a 10-15 volt (dipende dal
tipo di mosfet) e tra drain e massa avrai una resistenza variabile.

fin qui è chiarissimo, ma nella simulazione se utilizzo un segnale
sinusoidale questo viene "tosato" non diminuito come con una resistenza. E'
giusto che sia così?

Stai usando un mosfet?
Forse viene tagliata la semionda negativa? E' perche' il drain
deve restare sempre a tensione maggiore del source, o al limite
anche uguale.
Probabilmente tu stai usando un segnale che oscilla tra tensioni positive
e negative. Prova invece ad usare un segnale alternato che vari
per esempio tra 1 e 2 volt, cioe' sinusoide di ampiezza 0,5 volt
sommata a una tensione continua di 1,5 volt.

[Gabriele]

Post by Valeria Dal Monte

Post by Gabriele

Post by Valeria Dal Monte
Per esempio, un mosfet N, colleghi il source a massa, polarizzi
il gate con una tensione variabile da 0 a 10-15 volt (dipende dal
tipo di mosfet) e tra drain e massa avrai una resistenza variabile.

fin qui è chiarissimo, ma nella simulazione se utilizzo un segnale
sinusoidale questo viene "tosato" non diminuito come con una resistenza.

E'

Post by Gabriele
giusto che sia così?

Stai usando un mosfet?
Forse viene tagliata la semionda negativa? ...

no, viene tagliata (simmetricamente) anche quella positiva... sfogliando
altri siti ho trovato uino schema "stabilizzato" dove, con l'ausilio di una
resistenza tra tensione di controllo e gate e una resistenza in serie a un
condensatore tra gate e drain, viene eliminato il problema della simmetria,
ma il risultato mi lascia perplesso...
appena trovo un po' di tempo provo a montare il circuito e a "sentire" il
risultato.

grazie mille per le dritte. ciao

[Valeria Dal Monte]

Post by Gabriele
no, viene tagliata (simmetricamente) anche quella positiva...

Prova a postare lo schema.

Post by Gabriele
sfogliando
altri siti ho trovato uino schema "stabilizzato" dove, con l'ausilio di una
resistenza tra tensione di controllo e gate e una resistenza in serie a un
condensatore tra gate e drain, viene eliminato il problema della simmetria,
ma il risultato mi lascia perplesso...

Mah, se hai un link vorrei vedere di che cosa si tratta, anche per
mia curiosita' personale.

[Gabriele]

Post by Valeria Dal Monte

Post by Gabriele
no, viene tagliata (simmetricamente) anche quella positiva...

Prova a postare lo schema.

Post by Gabriele
sfogliando
altri siti ho trovato uino schema "stabilizzato" dove, con l'ausilio di

una

Post by Gabriele
resistenza tra tensione di controllo e gate e una resistenza in serie a un
condensatore tra gate e drain, viene eliminato il problema della

simmetria,

Post by Gabriele
ma il risultato mi lascia perplesso...

Mah, se hai un link vorrei vedere di che cosa si tratta, anche per
mia curiosita' personale.

il link è perso tra i milioni di link che ho visitato...
Ci provo con fidocad

questo è lo schema suggerito (Vc è la tensione di controllo, drain e source
sono i poli del resistore variabile)

[FIDOCAD ]
MC 35 35 0 0 400
MC 25 35 0 0 080
MC 35 15 1 0 080
MC 40 15 0 0 170
LI 35 15 40 15
LI 50 15 50 25
LI 35 25 35 35
LI 50 45 25 45
MC 40 45 0 0 045
MC 25 35 2 0 010
MC 25 45 2 0 020
TY 10 35 5 3 0 0 0 * Vc
TY 20 25 5 3 0 0 0 * 1meg
TY 40 5 5 3 0 0 0 * 0.01u
TY 20 15 5 3 0 0 0 * 1meg

questo è il circuito che ho utilizzato in micro-cap per fare i test. l'onda
(presa sul drain) è simmetrica, ma non è propriamente sinusoidale...
[FIDOCAD ]
MC 50 70 0 0 400
MC 40 70 0 0 080
MC 50 50 1 0 080
MC 55 50 0 0 170
LI 50 50 55 50
LI 65 50 65 60
LI 50 60 50 70
LI 65 80 40 80
MC 55 80 0 0 045
MC 40 70 2 0 010
MC 40 80 2 0 020
TY 25 70 5 3 0 0 0 * Vc
TY 35 60 5 3 0 0 0 * 1meg
TY 35 50 5 3 0 0 0 * 1meg
MC 65 40 1 0 080
TY 45 40 5 3 0 0 0 * 0.01u
TY 70 40 5 3 0 0 0 * 100k
MC 10 60 0 0 480
LI 10 60 10 35
LI 10 35 65 35
LI 65 35 65 40
MC 10 80 0 0 045

questo è il migliore: se consideriamo R2 almeno il triplo di R1 la
distorsione è trascurabile ma l'escursione della tensione misurata tra drain
e massa non è molta, man mano che il rapporto R2/R1 diminuisce aumentiamo
sia l'escursione della tensione di drain che la distorsione del segnale

[FIDOCAD ]
MC 50 70 0 0 400
MC 40 70 0 0 080
MC 50 50 1 0 080
MC 55 50 0 0 170
LI 50 50 55 50
LI 65 50 65 60
LI 50 60 50 70
LI 65 80 40 80
MC 40 70 2 0 010
MC 40 80 2 0 020
TY 25 70 5 3 0 0 0 * Vc
TY 35 60 5 3 0 0 0 * 1meg
TY 35 50 5 3 0 0 0 * 1meg
MC 65 40 1 0 080
TY 45 40 5 3 0 0 0 * 0.01u
TY 70 40 5 3 0 0 0 * R1
MC 10 60 0 0 480
LI 10 60 10 35
LI 10 35 65 35
LI 65 35 65 40
MC 65 80 1 0 080
TY 70 85 5 3 0 0 0 * R2
MC 10 90 0 0 045
LI 10 80 10 90
LI 10 90 65 90

le prove le ho fatte utilizzando un jfet BF245C, con tensione VTO=-3V la
variabilità del resistore si vede tra i -3 e -3.4 V (circa)

ecco il modello del jfet utilizzato
.MODEL BF245C NJF (VTO=-3.0 BETA=286.156M LAMBDA=20M RS=239.291 CGD=1.54248P
+ CGS=2.567P PB=1.49 KF=7.90591F AF=499.953M)

forse nel fidocad ho invertito + e - della tensione di controllo...

se ho fatto ca%%ate dimmelo pure, son tutt'orecchi :-)

hola

[Valeria Dal Monte]

Post by Gabriele
le prove le ho fatte utilizzando un jfet BF245C, con tensione VTO=-3V la
variabilità del resistore si vede tra i -3 e -3.4 V (circa)
ecco il modello del jfet utilizzato
.MODEL BF245C NJF (VTO=-3.0 BETA=286.156M LAMBDA=20M RS=239.291 CGD=1.54248P
+ CGS=2.567P PB=1.49 KF=7.90591F AF=499.953M)
forse nel fidocad ho invertito + e - della tensione di controllo...

Le polarita' che hai indicato nelo schema andrebbero bene
per un mosfet.
Se usi un jfet invece il gate deve avere tensione negativa rispetto
al source. Penso che il problema sia tutto qui.

[Gabriele]

Post by Valeria Dal Monte
Le polarita' che hai indicato nelo schema andrebbero bene
per un mosfet.
Se usi un jfet invece il gate deve avere tensione negativa rispetto
al source. Penso che il problema sia tutto qui.

hai ragione, infatti ho postato uno schema errato... le prove le ho fatte
con le polarità invertite :-p

hola

[Tullio Mariani]

Post by Gabriele
Ciao a tutti. Sicuramente per voi è una sciocchezza, ma io non riesco a
venircene fuori...
come si deve collegare un jfet (o un mosfet) per poterlo utilizzare come
resistenza che varia in base alla tensione?
Cercando in rete ho trovato tante belle frasi come "basta usare un mosfet
polarizzato in zona lineare" o "funzionando in regione triodo il mosfet si
comporta come resistenza variabile" o cose così, senza mai però far vedere
uno schema che illustri la cosa! Nella mia ingenuità un fet/mosfet
polarizzato in zona lineare serve da amplificatore: entra una tensione esce
una tensione*qualcosa... ma come posso fisicamente sostituire un
potenziometro con un fet?
Ho provato tutte le combinazioni circuitali che la mia mente è riuscita a
partorire ma sono stati solo aborti...
Qualcuno sa dirmi come posso fare?

La application note AN105 della siliconix è quel che ti ci vuole.
L'ultima volta la ho scaricata di qui (attento agli 'a capo') :

http://www.qsl.net/n4xy/PDFs/Semiconductor_Application_Notes/Vishay-Silcnx_FET_VoltCntrlRES_AN105.pdf

Ma non so se ci sia ancora. Alcune delle configurazioni proposte le ho
verificate personalmente.

Ciao

Tullio

[Gabriele]

Post by Tullio Mariani
La application note AN105 della siliconix è quel che ti ci vuole.

trovata qui:
http://www.ortodoxism.ro/datasheets/vishay/70598.pdf

grazie mille
hola